半导体光刻胶材料企业Samyang ...

业内专家对此给予了高度评价，认为我国在太空领域成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着我国在空间载荷需求日益严格（常以“克”为单位计量）的背景下，碳化硅（SiC）功率器件有望成为推动空间电源系统升级换代的关键力量。

近日，中国科学院微电子研究所宣布，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，标志着第三代半导体材料在航天领域的应用进入新阶段。这次验证为我国航天电源系统的升级换代奠定了坚实基础。

在全球半导体行业快速发展的背景下，技术创新成为推动市场竞争力的重要因素。近日，华厦镓链半导体（上海）有限公司申请了一项名为“一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜”的专利，旨在通过新型气相生长方法，促进氮化镓薄膜的大面积单晶生长。根据国家知识产权局 ...

1月6日，半导体逆市高开。截至9:46，半导体材料ETF（562590）涨0.20%，有望触底反弹，持仓股华峰测控领涨，涨近4%，沪硅产业 ...

在半导体材料科学的探索之旅中，荷兰特文特大学的研究团队近日取得了一项突破性进展。他们创新性地开发出一种能够在常温下制备高度有序半导体材料的新工艺，这一成果不仅为光电子学领域带来了革新性的希望，也为太阳能电池及电子产品的未来发展铺设了新路径。

碳基半导体（包括金刚石、碳化硅、石墨烯和碳纳米管等）因其超宽禁带、高热导率、高载流子迁移率以及优异的化学稳定性等卓越的特性，正在成为解决传统硅基半导体材料逐渐逼近物理极限 ...

时隔不久,星源材质披露公告,子公司新加坡星源已通过日本二级市场购买日本磁控超过其总股本1%的股份,对于星源材质来说,公司在新材料领域的探索和实践又有了新的重要进展,有望与Ferrotec发挥各自所长、实现强强联合。

富士胶片控股将在截至2026财年（截至2027年3月）的三年时间内，投资超1000亿日元来增强用于半导体制造的材料业务设备。与截至2023财年（截至2024年3月）的3年相比，投资额翻倍，将在日本、美国及韩国等地增产。为了应对迅速扩大的生成式AI（人工智能）需求等，该公司将在全球构建半导体材料供应链。

1月22日，截止午间收盘，半导体材料ETF（562590）跌0.94%，报1.051元，成交额579.90万元。半导体材料ETF（562590）重仓股方面，中微公司截止午盘跌1.18%，北方华创跌1.69%，沪硅产业跌0.45%，华海清科跌1.88%，拓荆科技跌1.88%，南大光电跌0.45%，雅克科技涨1.37%，长川科技涨1.00%，芯源微跌1.64%，立昂微跌0.72%。

2025年1月15日，力量钻石半导体高功率散热片金刚石功能材料研发制造项目，历经一年多的筹备和建设，于今日正式建成投产。在投产仪式上，商丘市委、市政府主要领导莅临现场观摩指导 ...

以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。