半导体光刻胶材料企业Samyang ...

新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。 据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之 ...

近日，中国科学院微电子研究所宣布，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，标志着第三代半导体材料在航天领域的应用进入新阶段。这次验证为我国航天电源系统的升级换代奠定了坚实基础。

业内专家对此给予了高度评价，认为我国在太空领域成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着我国在空间载荷需求日益严格（常以“克”为单位计量）的背景下，碳化硅（SiC）功率器件有望成为推动空间电源系统升级换代的关键力量。

近日，中国科学院微电子研究所宣布，我国成功在太空验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件。这一成果标志着我国在第三代半导体材料领域取得重大进展，将为航天电源系统的升级换代提供重要支持。碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，具有高能效、小型化、轻量化等特点，能够解决传统硅基功率器件性能逐渐逼近极限的问题。

中国成功测试首款国产碳化硅功率器件，标志着第三代半导体材料有望推动我国航天电源升级换代。功率器件是电子设备的核心组件，对于提升整体系统性能具有关键作用。然而，随着硅基功率器件的性能接近极限，寻求新型材料成为推动技术发展的关键。 碳化硅（SiC）作为一种第三代半导体材料，在空间电源系统中具有高能效、小型化和轻量化等显著特点，完美契合了空间电源系统对高性能、高效率和轻量化的迫切需求。这次在轨加电试验成 ...